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CA-IS3417WT-Q1

CA-IS3417WT-Q1

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工程送样

汽车级1700V 高压隔离开关

CA-IS3417WT-Q1 是一款车规级低EMI、输入光耦兼容的 增强型绝缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管 （e-diode），在保持光耦输入特性的同时还具有更好的 一致性、长期稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会 像传统光 MOS 继电器一样随着使用时间的增加而出现 光衰老化现象。另外相比传统的机械继电器，CA IS3417WT-Q1 的开关次数更多，使用寿命更长。
CA-IS3417WT-Q1 的副边集成了耐压高达 1700V 背靠背 的SiC MOSFET，由于 SiC MOSFET 具有更好的高温特性 和可靠性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。
CA-IS3417WT-Q1 采用12脚宽体SOIC封装，引脚排布兼 容主流光 MOS 继电器，原副边之间的隔离耐压高达 5kVRMS @ 1 分钟，支持在车规温度范围内（–40°C 到 125°C）正常工作。

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  • 特性

    常开器件（输入不加电输出关断）

    输入光耦兼容，模拟光耦输入特性：

    无传统光耦的光衰老化特性
    输入最高反向耐压5.5V

    内部集成背靠背SiC MOSFET：

    输出关断电压高达1700V（最小值）
    输出关断漏电流低至1μA（最大值）

    输出导通电阻：

    50Ω（典型值）

    支持高达50mA的输出导通电流

    开启和关断时间小于300μs

    高CMTI：

    ±150kV/µs（典型值）

    低EMI：

    满足CISPR25 Class 5标准（两层PCB）

    符合AEC-Q100标准：

    Grade 1 等级，TA = –40°C ~ 125°C

    优异的隔离性能（认证中）：

    符合UL 1577 认证，1 分钟5kVRMS 隔离耐压
    符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的7070VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM

    采用12引脚宽体SOIC封装：

    输入侧与输出侧爬电距离和电气间隙≥ 8mm
    输出端口之间爬电距离和电气间隙≥ 5.84mm

  • 应用

    • 固态继电器

    • 混动或者电动汽车

    • 电池管理系统

    • 车载充电机

    • 储能系统

    • 太阳能

    • 新能源汽车充电装置

  • 器件信息

    零件号封装封装尺寸(标称值)
    CA-IS3417WT-Q1SOIC12-WB(WT)10.30 mm × 7.50 mm

  • 简化通道结构图

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