EN
download57-356.jpg b1bannerph882-441.jpg

CA-IS3417WT

CA-IS3417WT

f_ico02.svg

量产

1700V 高压隔离开关

CA-IS3417WT 是一款低 EMI、输入光耦兼容的增强型绝 缘高压隔离开关，原边输入级为模拟二极管（e-diode）， 在保持光耦输入特性的同时还具有更好的一致性、长期 稳定性和更高的可靠性，其传输特性不会像传统光 MOS 继电器一样随着使用时间的增加而出现光衰老化 现象。另外相比传统的机械继电器，CA-IS3417WT 的开 关次数更多，使用寿命更长。
CA-IS3417WT的副边集成了耐压高达1700V背靠背的SiC MOSFET，由于 SiC MOSFET 具有更好的高温特性和可靠 性，使得该器件可以在更高环境温度下稳定运行。
CA-IS3417WT 采用 12 脚宽体 SOIC 封装，引脚排布兼容 主流光 MOS 继电器，原副边之间的隔离耐压高达 5kVRMS @ 1 分钟，支持在额定扩展工业温度范围内（ 40°C 到 125°C）正常工作。

package-soic12-wb-wt.png

  • 特性

    常开器件（输入不加电输出关断）

    输入光耦兼容，模拟光耦输入特性：

    无传统光耦的光衰老化特性
    输入最高反向耐压5.5V

    内部集成背靠背SiC MOSFET：

    输出关断电压高达1700V（最小值）
    输出关断漏电流低至1μA（最大值）
    输出导通电阻：50Ω（典型值）
    支持高达50mA的输出导通电流
    开启和关断时间小于300μs

    宽工作温度范围：

    –40°C ~ 125°C

    高CMTI：

    ±150kV/µs（典型值）

    低EMI：

    满足CISPR32 Class B 标准（两层PCB）

    优异的隔离性能（认证中）：

    符合UL 1577 认证，1 分钟5kVRMS 隔离耐压
    符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的7070VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM

    采用12引脚宽体SOIC封装：

    输入侧与输出侧爬电距离和电气间隙≥ 8mm
    输出端口之间爬电距离和电气间隙≥ 5.84mm

  • 应用

    • 固态继电器

    • 电池管理系统

    • 储能系统

    • 太阳能

    • 新能源汽车充电装置

  • 器件信息

    零件号封装封装尺寸(标称值)
    CA-IS3417WTSOIC12-WB(WT)10.30 mm × 7.50 mm

  • 简化通道结构图

    企业微信截图_17199733763556.png