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CA-IS3213MCG

CA-IS3213MCG

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量产

单通道CMOS输入型栅极驱动器

CA-IS3213是一系列基于电容隔离的单通道栅极驱 动器，可用于驱动SiC、IGBT和MOSFET器件。器件具 有出色的动态性能和高可靠性，同时具有高达±15A峰 值的拉/灌电流能力。
器件通过SiO2电容隔离技术实现控制侧与驱动侧的 电气隔离，支持1.5kVRMS的隔离工作电压、12.8kVPK浪 涌抗扰度，额定工作电压下隔离栅寿命超过40年，同 时具有良好的器件一致性以及>150V/ns 的共模瞬态抗 扰度（CMTI）。
器件控制和驱动侧电源UVLO，同时针对SiC和IGBT 开关行为进行了优化，并提高了可靠性。此外，CA IS3213MCG内置4A峰值电流有源米勒钳位；CA IS3213VCG外置COM脚，便于隔离驱动侧正负电源供 电；CA-IS3213SCG采用OUTH和OUTL分离输出配置。
全系列采用SOIC8-WB宽体封装，爬电距离和间隙 距离大于8mm。

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  • 特性

    5.7kVRMS耐压等级的单通道隔离栅极驱动器

    33V最大输出驱动电压（VDD–VEE）

    ±15A 峰值驱动电流能力

    CA-IS3213MCG版本具有：

    内置4A峰值电流有源米勒钳位

    CA-IS3213VCG版本具有：

    外置COM脚，便于隔离驱动侧正负电源供电

    CA-IS3213SCG版本具有：

    OUTH和OUTL分离输出配置

    高共模瞬态抗扰度：

    150V/ns（最小值）

    输入引脚上40ns（典型值）瞬态和脉冲抑制功能

    隔离驱动侧VDD供电包含12V UVLO功能

    延时特性：

    130ns（最大值）传播延迟
    30ns（最大值）脉宽失真
    30ns（最大值）器件间延时匹配

    SOIC8-WB宽体封装，爬电距离和间隙距离>8mm

    额定工作电压下隔离栅寿命大于40年

    工作结温（TJ）范围 ：

    –40°C至 150°C

  • 应用

    • 光伏逆变器

    • 储能变流器

    • 工控电机控制器

    • 充电桩功率模块

    • UPS及工业电源等

  • 器件信息

    器件型号封装封装尺寸 （标称值）
    CA-IS3213MCGSOIC8-WB (G)7.5mm x 5.85mm
    CA-IS3213VCGSOIC8-WB (G)7.5mm x 5.85mm
    CA-IS3213SCGSOIC8-WB (G)7.5mm x 5.85mm